Graphene oxide films for field effect surface passivation of silicon for solar cells
In recent years it has been shown that graphene oxide (GO) can be used to passivate silicon surfaces resulting in increased photocurrents in metal-insulator-semiconductor (MIS) tunneling diodes, and in improved efficiencies in Schottky-barrier solar cells with either metal or graphene barriers, howe...
Հիմնական հեղինակներ: | Vaqueiro-Contreras, M, Bartlam, C, Bonilla, R, Markevich, V, Halsall, M, Vijayaraghavan, A, Peaker, A |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Հրապարակվել է: |
Elsevier
2018
|
Նմանատիպ նյութեր
-
The surface passivation mechanism of graphene oxide for crystalline silicon
: Vaqueiro-Contreras, M, և այլն
Հրապարակվել է: (2020) -
Electric field effect surface passivation for silicon solar cells
: Bonilla, R, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
A technique for field effect surface passivation for silicon solar cells
: Bonilla, R, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
A technique for field effect surface passivation for silicon solar cells
: Bonilla Osorio, RS, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
Controlled field effect surface passivation of crystalline n-type silicon and its application to back-contact silicon solar cells
: Bonilla, R, և այլն
Հրապարակվել է: (2014)