CHEMICAL BEAM EPITAXY AND RELATED GROWTH TECHNIQUES 1991 - PROCEEDINGS OF THE 3RD INTERNATIONAL-CONFERENCE ON CHEMICAL BEAM EPITAXY AND RELATED GROWTH TECHNIQUES OXFORD, UK, 1-5 SEPTEMBER 1991 - PREFACE

অনুরূপ উপাদানগুলি

• An investigation of ZnSe growth by chemical beam epitaxy using modulated beam scattering and related techniques
  অনুযায়ী: Foord, J, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (1996)
• REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
  অনুযায়ী: Foord, J, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (1993)
• SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
  অনুযায়ী: Davies, G, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (1991)
• SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
  অনুযায়ী: Foord, J, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (1991)
• SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V-COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
  অনুযায়ী: Davies, G, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (1992)