Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
WORK FUNCTION AT A SILICON SUR...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
WORK FUNCTION AT A SILICON SURFACE ATOMICALLY RESOLVED BY STM
Библиографические подробности
Главные авторы:
Pethica, J
,
Knall, J
,
Wilson, J
Формат:
Conference item
Опубликовано:
1993
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
Quantitative STM imaging of metal surfaces
по: Clarke, A, и др.
Опубликовано: (1996)
ADSORPTION OF TRIMETHYLGALLIUM ON SEMICONDUCTOR SURFACES - STM OBSERVATIONS
по: Mayne, A, и др.
Опубликовано: (1993)
Superstructures and defect structures revealed by atomic-scale STM imaging of WO3(001).
по: Jones, F, и др.
Опубликовано: (1995)
An STM study of surface structures on WO3(001)
по: Jones, F, и др.
Опубликовано: (1996)
The surface structure of TiO2(210) studied by atomically resolved STM and atomistic simulation
по: Howard, A, и др.
Опубликовано: (2000)