Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Vsa polja
Naslov
Avtor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Išči
Napredno
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SE...
Citiraj
Pošljite SMS
Pošljite email
Natisni
Izvozi zadetek
Izvozi v RefWorks
Izvozi v EndNoteWeb
Izvozi v EndNote
Permanent link
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Show other versions (1)
Bibliografske podrobnosti
Main Authors:
Czernuszka, J
,
Long, N
,
Hirsch, P
Format:
Journal article
Izdano:
1991
Zaloga
Opis
Other Versions (1)
Podobne knjige/članki
Knjižničarski pogled
Opis
Izvleček:
Podobne knjige/članki
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
od: Czernuszka, J, et al.
Izdano: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
od: Wilkinson, A, et al.
Izdano: (1993)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
od: Czernuszka, J, et al.
Izdano: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
od: Wilkinson, A, et al.
Izdano: (1993)
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
od: Wilkinson, A, et al.
Izdano: (1994)