ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Päätekijät: | Czernuszka, J, Long, N, Hirsch, P |
---|---|
Aineistotyyppi: | Journal article |
Julkaistu: |
1991
|
Samankaltaisia teoksia
-
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Tekijä: Czernuszka, J, et al.
Julkaistu: (1991) -
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
Tekijä: Wilkinson, A, et al.
Julkaistu: (1993) -
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
Tekijä: Czernuszka, J, et al.
Julkaistu: (1991) -
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
Tekijä: Wilkinson, A, et al.
Julkaistu: (1993) -
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
Tekijä: Wilkinson, A, et al.
Julkaistu: (1994)