ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
প্রধান লেখক: | Czernuszka, J, Long, N, Hirsch, P |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
প্রকাশিত: |
1991
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
অনুযায়ী: Czernuszka, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991) -
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
অনুযায়ী: Wilkinson, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993) -
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
অনুযায়ী: Czernuszka, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991) -
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
অনুযায়ী: Wilkinson, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993) -
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
অনুযায়ী: Wilkinson, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1994)