ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING

ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING

Hiển thị phiên bản (1) khác

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Czernuszka, J, Long, N, Hirsch, P
Định dạng:	Journal article
Được phát hành:	1991

Những quyển sách tương tự

ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Bằng: Czernuszka, J, et al.
Được phát hành: (1991)

ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
Bằng: Wilkinson, A, et al.
Được phát hành: (1993)

ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
Bằng: Czernuszka, J, et al.
Được phát hành: (1991)

ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
Bằng: Wilkinson, A, et al.
Được phát hành: (1993)

Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
Bằng: Wilkinson, A, et al.
Được phát hành: (1994)

IMAGING OF SEMICONDUCTOR DEFECTS USING ION CHANNELING
Bằng: King, P, et al.
Được phát hành: (1993)

Multiple scattering simulation of electron channelling contrast images of dislocations at interfaces
Bằng: Dudarev, S, et al.
Được phát hành: (1995)

EBIC CONTRAST OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1991)

IMAGING OF DISLOCATIONS USING BACKSCATTERED ELECTRONS IN A SCANNING ELECTRON-MICROSCOPE
Bằng: Czernuszka, J, et al.
Được phát hành: (1990)

THE EFFECTS OF SURFACE STRESS-RELAXATION ON ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGES OF DISLOCATIONS
Bằng: Wilkinson, A, et al.
Được phát hành: (1995)

Characterizing dislocation structures in bulk fatigued copper single crystals using electron channelling contrast imaging (ECCI)
Bằng: Ahmed, J, et al.
Được phát hành: (1997)

Survey of semiconductor physics : electrons and other particles in bulk semiconductors /
Bằng: 342198 Boer, Karl W.
Được phát hành: (1990)

Electron channelling contrast imaging of dislocation substructures in the vicinity of short fatigue cracks in Cu
Bằng: Ahmed, J, et al.
Được phát hành: (1998)

Defect electronics in semiconductors
Bằng: 269076 Matare, Herbert Franz
Được phát hành: (1971)

The methodology of modeling of electronic properties of bulk semiconductor compounds
Bằng: A. V. Krivosheeva, et al.
Được phát hành: (2019-06-01)

OpenECCI - A Streamlined Open-Source Workflow for Electron Channelling Contrast Imaging of Crystal Defects
Bằng: Xu Zhou, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

Electron channeling and ion channeling contrast imaging of dislocations in nitride thin films
Bằng: Trager-Cowan, C, et al.
Được phát hành: (2008)

Theory of defects in solids : electronic structure of defects in insulators and semiconductors
Bằng: 375532 Stoneham, A. M.
Được phát hành: (1975)

EFFECT OF SURFACE-CHARGE ON THE DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
Bằng: Czernuszka, J
Được phát hành: (1989)

EFFECT OF SURFACE-CHARGE ON THE DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
Bằng: Czernuszka, J
Được phát hành: (1989)

Examination of dislocation substructures in fatigued Cu using electron channelling contrast imaging
Bằng: Ahmed, J, et al.
Được phát hành: (1999)

Characterization of nitride thin films by electron backscatter diffraction and electron channeling contrast imaging
Bằng: Trager-Cowan, C, et al.
Được phát hành: (2006)

Characterisation of nitride thin films by electron backscatter diffraction and electron channelling contrast imaging
Bằng: Trager-Cowan, C, et al.
Được phát hành: (2006)

Hydrogen in semiconductors : bulk and surface properties/
Bằng: Trieste IUPAP-ICTP Semiconductor Symposium (6th : 1990 : Trieste, Italy), et al.
Được phát hành: (1991)

Defects in semiconductors/
Bằng: Narayan, J., et al.
Được phát hành: (1980)

Electron diffraction based techniques in scanning electron microscopy of bulk materials
Bằng: Wilkinson, A, et al.
Được phát hành: (1998)

Electron diffraction based techniques in scanning electron microscopy of bulk materials
Bằng: Wilkinson, A, et al.
Được phát hành: (1997)

Weakly Supervised Image Segmentation for Detecting Defects From Scanning Electron Microscopy Images in Semiconductor
Bằng: Younghwan Lee, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

Depth Dependence of Electron Channeling Contrast Imaging in Gallium Nitride
Bằng: Lavallee Etienne, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

Electron backscatter diffraction and electron channeling contrast imaging of tilt and dislocations in nitride thin films
Bằng: Trager-Cowan, C, et al.
Được phát hành: (2007)

Compound semiconductor bulk materials and characterizations /
Bằng: 173111 Oda, Osamu
Được phát hành: (2007)

Quantitative simulations of electron channelling patterns and electron backscattering from crystals
Bằng: Dudarev, S, et al.
Được phát hành: (1994)

Characterizing dislocation structure evolution during cyclic deformation using electron channelling contrast imaging
Bằng: Ahmed, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Electron Channeling Contrast Imaging (ECCI) of Ion Battery Cathode Materials
Bằng: Naghizadeh Meysam, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

A Review on Machine and Deep Learning for Semiconductor Defect Classification in Scanning Electron Microscope Images
Bằng: Francisco López de la Rosa, et al.
Được phát hành: (2021-10-01)

Automatic Semiconductor Wafer Image Segmentation for Defect Detection Using Multilevel Thresholding
Bằng: Saad N.H., et al.
Được phát hành: (2016-01-01)

SEM imaging of contrast arising from different doping concentrations in semiconductors
Bằng: Sealy, C, et al.
Được phát hành: (1995)

Weyl points and exceptional rings with polaritons in bulk semiconductors
Bằng: R. L. Mc Guinness, et al.
Được phát hành: (2020-11-01)

Bulk versus Contact Doping in Organic Semiconductors
Bằng: Chang-Hyun Kim
Được phát hành: (2021-06-01)

Stabilization of semiconductor surfaces through bulk dopants
Bằng: Nikolaj Moll, et al.
Được phát hành: (2013-01-01)