ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING

Podobné jednotky

• ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
  Autor: Czernuszka, J, a další
  Vydáno: (1991)
• ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
  Autor: Wilkinson, A, a další
  Vydáno: (1993)
• ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
  Autor: Czernuszka, J, a další
  Vydáno: (1991)
• ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
  Autor: Wilkinson, A, a další
  Vydáno: (1993)
• Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
  Autor: Wilkinson, A, a další
  Vydáno: (1994)