ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING

Gelijkaardige items

• ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
  door: Czernuszka, J, et al.
  Gepubliceerd in: (1991)
• ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
  door: Wilkinson, A, et al.
  Gepubliceerd in: (1993)
• ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
  door: Czernuszka, J, et al.
  Gepubliceerd in: (1991)
• ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
  door: Wilkinson, A, et al.
  Gepubliceerd in: (1993)
• Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
  door: Wilkinson, A, et al.
  Gepubliceerd in: (1994)