تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SE...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
عرض إصدارات أخرى (1)
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Czernuszka, J
,
Long, N
,
Hirsch, P
التنسيق:
Journal article
منشور في:
1991
المقتنيات
الوصف
إصدارات أخرى (1)
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
مواد مشابهة
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
حسب: Czernuszka, J, وآخرون
منشور في: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
حسب: Wilkinson, A, وآخرون
منشور في: (1993)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
حسب: Czernuszka, J, وآخرون
منشور في: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
حسب: Wilkinson, A, وآخرون
منشور في: (1993)
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
حسب: Wilkinson, A, وآخرون
منشور في: (1994)