Preskoči na sadržaj
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Sva polja
Naslov
Autor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Pronađi
Napredno
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SE...
Citiraj ovo
Pošalji tekstualnu poruku
Pošalji ovo e-mailom
Ispiši
Izvezi zapis
Izvezi u RefWorks
Izvezi u EndNoteWeb
Izvezi u EndNote
Stalna poveznica
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Pokaži ostale verzije (1)
Bibliografski detalji
Glavni autori:
Czernuszka, J
,
Long, N
,
Hirsch, P
Format:
Journal article
Izdano:
1991
Primjerci
Opis
Ostale verzije (1)
Slični predmeti
Prikaz za djelatnike knjižnice
Slični predmeti
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
od: Czernuszka, J, i dr.
Izdano: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
od: Wilkinson, A, i dr.
Izdano: (1993)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
od: Czernuszka, J, i dr.
Izdano: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
od: Wilkinson, A, i dr.
Izdano: (1993)
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
od: Wilkinson, A, i dr.
Izdano: (1994)