Անցեք բովանդակությանը
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Լեզու
Բոլոր դաշտերը
Վերնագիր
Հեղինակ
Խորագիր
Դասիչ
ISBN/ISSN
Ցուցիչ
Գտեք
Ընդլայնված
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SE...
Վկայակոչեք սա
Գրեք սա
Էլփոստով ուղարկեք սա
Տպել
Արտահանել գրառումը
Արտահանել դեպի RefWorks
Արտահանել դեպի EndNoteWeb
Արտահանել դեպի EndNote
Մշտական հղում
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Ցույց տալ այլ տարբերակներ (1)
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:
Czernuszka, J
,
Long, N
,
Hirsch, P
Ձևաչափ:
Journal article
Հրապարակվել է:
1991
Պահումներ
Նկարագրություն
Այլ տարբերակներ (1)
Նմանատիպ նյութեր
Աշխատակազմի տեսք
Նմանատիպ նյութեր
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
: Czernuszka, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
: Wilkinson, A, և այլն
Հրապարակվել է: (1993)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
: Czernuszka, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
: Wilkinson, A, և այլն
Հրապարակվել է: (1993)
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
: Wilkinson, A, և այլն
Հրապարակվել է: (1994)