Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SE...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Pokaż inne wersje (1)
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Czernuszka, J
,
Long, N
,
Hirsch, P
Format:
Journal article
Wydane:
1991
Egzemplarz
Opis
Inne wersje (1)
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
od: Czernuszka, J, i wsp.
Wydane: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
od: Wilkinson, A, i wsp.
Wydane: (1993)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
od: Czernuszka, J, i wsp.
Wydane: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
od: Wilkinson, A, i wsp.
Wydane: (1993)
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
od: Wilkinson, A, i wsp.
Wydane: (1994)