Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SE...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Показати інші версії (1)
Бібліографічні деталі
Автори:
Czernuszka, J
,
Long, N
,
Hirsch, P
Формат:
Journal article
Опубліковано:
1991
Примірники
Опис
Інші версії (1)
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Схожі ресурси
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
за авторством: Czernuszka, J, та інші
Опубліковано: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1993)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
за авторством: Czernuszka, J, та інші
Опубліковано: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1993)
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1994)