Taper-free and kinked germanium nanowires grown on silicon via purging and the two-temperature process.

Taper-free and kinked germanium nanowires grown on silicon via purging and the two-temperature process.

Zobrazit další vydání (1)

We investigate the growth procedures for achieving taper-free and kinked germanium nanowires epitaxially grown on silicon substrates by chemical vapor deposition. Singly and multiply kinked germanium nanowires consisting of <111> segments were formed by employing a reactant gas purging...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Kim, J, Moon, SR, Kim, Y, Chen, Z, Zou, J, Choi, D, Joyce, H, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C
Médium:	Journal article
Jazyk:	English
Vydáno:	2012

Podobné jednotky

Taper-free and kinked germanium nanowires grown on silicon via purging and the two-temperature process
Autor: Kim, J, a další
Vydáno: (2012)

Taper-Free and Vertically Oriented Ge Nanowires on Ge/Si Substrates Grown by a Two-Temperature Process
Autor: Kim, J, a další
Vydáno: (2012)

Vertically oriented epitaxial germanium nanowires on silicon substrates using thin germanium buffer layers
Autor: Jung, J, a další
Vydáno: (2010)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2006)

Structural and optical properties of III-V nanowires and nanowire heterostructures grown by metalorganic chemical vapour deposition
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2007)

Twin-free uniform epitaxial GaAs nanowires grown by a two-temperature process.
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2007)

Stimulated emission from hexagonal silicon-germanium nanowires
Autor: Marvin A. J. van Tilburg, a další
Vydáno: (2024-10-01)

Precursor flow rate manipulation for the controlled fabrication of twin-free GaAs nanowires on silicon substrates.
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2012)

Kinking of GaP Nanowires Grown in an In Situ (S)TEM Gas Cell Holder
Autor: David Krug, a další
Vydáno: (2023-06-01)

Molecular Dynamics Modeling of Thermal Conductivity of Silicon/Germanium Nanowires
Autor: Andriy Kishkar, a další
Vydáno: (2018-10-01)

Chemical mechanical polishing of germanium selectively grown on silicon
Autor: Tan, Bryan Yue Han
Vydáno: (2023)

Improvement of morphology, structure, and optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2010)

Nanomechanical Traceable Metrology of Vertically Aligned Silicon and Germanium Nanowires by Nanoindentation
Autor: Gerry Hamdana, a další
Vydáno: (2017-08-01)

InP nanowires grown by SA-MOVPE
Autor: Gao, Q, a další
Vydáno: (2012)

Catalytic growth of germanium oxide nanowires, nanotubes, and germanium nanowires : temperature-dependent effect
Autor: Yan, Chaoyi, a další
Vydáno: (2012)

Structural and optical characterization of vertical GaAs/GaP core-shell nanowires grown on Si substrates
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2010)

Electrical and temperature characterisation of silicon and germanium nanowire transistors based on channel dimensions
Autor: Hani Taha, Abd Assamad Al Ariqi
Vydáno: (2020)

Growth of III-V nanowires and nanowire heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2007)

Influence of nanowire density on the shape and optical properties of ternary InGaAs nanowires.
Autor: Kim, Y, a další
Vydáno: (2006)

Thermal transport in kinked nanowires through simulation
Autor: Alexander N. Robillard, a další
Vydáno: (2023-05-01)

Microscopic Characteristics of Kinking Phenomenon in Vertically Free-Standing Nanowires
Autor: Zhina Razaghi, a další
Vydáno: (2023-10-01)

Amorphous Silicon Nanowires Grown on Silicon Oxide Film by Annealing
Autor: Zhishan Yuan, a další
Vydáno: (2017-08-01)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2007)

MOCVD-grown indium phosphide nanowires for optoelectronics
Autor: Paiman, Suriati, a další
Vydáno: (2014)

III-V compound semiconductor nanowires
Autor: Paiman, S, a další
Vydáno: (2009)

Determination of orientation and tapering factor for indium gallium arsenide nanowires grown on different substrates /
Autor: Nur Syarmila Amat Tosirim, 1989-, a další
Vydáno: (2011)

Quantum dots and nanowires for photonics applications
Autor: Mokkapati, S, a další
Vydáno: (2006)

The elemental semiconductors-silicon and germanium /
Autor: 267485 Shields, J.
Vydáno: ((19.)

High performance GaAs/AlGaAs radial heterostructure nanowires grown by MOCVD
Autor: Jiang, N, a další
Vydáno: (2013)

Morphology of silicon/silicon-oxide nanowires grown from nickel-coated silicon wafers
Autor: Li, Feng Ji, a další
Vydáno: (2015)

Silicon-germanium for ULSI
Autor: Steve Hall, a další
Vydáno: (2000-12-01)

Growth of InP nanowires on silicon using a thin buffer layer
Autor: Fonseka, H, a další
Vydáno: (2012)

Mechanical strain in the structure of array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
Autor: A.I. Klimovskaya
Vydáno: (2019-09-01)

Silicon and germanium waveguides for silicon photonics
Autor: Zhang, Heng
Vydáno: (2017)

Vertically standing Ge nanowires on GaAs(110) substrates
Autor: Song, MS, a další
Vydáno: (2008)

Solution-processed germanium nanowire-positioned Schottky solar cells
Autor: Anderson Wayne, a další
Vydáno: (2011-01-01)

Nanowires for optoelectronic device applications
Autor: Gao, Q, a další
Vydáno: (2009)

III-V compound semiconductor nanowires
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2009)

Growth, structural and optical properties of III-V nanowires for optoelectronic applications
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2007)

Deformation mechanism of kink-step distorted coherent twin boundaries in copper nanowire
Autor: Bobin Xing, a další
Vydáno: (2017-01-01)