Taper-free and kinked germanium nanowires grown on silicon via purging and the two-temperature process.
We investigate the growth procedures for achieving taper-free and kinked germanium nanowires epitaxially grown on silicon substrates by chemical vapor deposition. Singly and multiply kinked germanium nanowires consisting of <111> segments were formed by employing a reactant gas purging...
প্রধান লেখক: | Kim, J, Moon, SR, Kim, Y, Chen, Z, Zou, J, Choi, D, Joyce, H, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
2012
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Taper-free and kinked germanium nanowires grown on silicon via purging and the two-temperature process
অনুযায়ী: Kim, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2012) -
Taper-Free and Vertically Oriented Ge Nanowires on Ge/Si Substrates Grown by a Two-Temperature Process
অনুযায়ী: Kim, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2012) -
Vertically oriented epitaxial germanium nanowires on silicon substrates using thin germanium buffer layers
অনুযায়ী: Jung, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010) -
Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
অনুযায়ী: Paladugu, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006) -
Structural and optical properties of III-V nanowires and nanowire heterostructures grown by metalorganic chemical vapour deposition
অনুযায়ী: Joyce, H, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)