Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
Библиографические подробности
Главные авторы:
Davies, G
,
Skevington, P
,
Foord, J
,
French, C
,
Levoguer, C
Формат:
Conference item
Опубликовано:
1994
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Описание
Итог:
Схожие документы
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
по: Foord, J, и др.
Опубликовано: (1993)
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
по: Davies, G, и др.
Опубликовано: (1993)
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
по: Foord, J, и др.
Опубликовано: (1993)
SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V-COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
по: Davies, G, и др.
Опубликовано: (1992)
SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
по: Davies, G, и др.
Опубликовано: (1991)