İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
Strain and defect microstructu...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
Strain and defect microstructure in ion-irradiated GeSi/Si strained layers as a function of annealing temperature
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Glasko, J
,
Elliman, R
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Gerald, F
Materyal Türü:
Journal article
Baskı/Yayın Bilgisi:
1998
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Benzer Materyaller
Ion irradiation of GeSi Si strained-layer heterostructures
Yazar:: Glasko, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
Yazar:: Glasko, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
Yazar:: Glasko, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)
GeSi strained layers and their applications /
Yazar:: Stoneham, A. M., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1995)
Ge and GeSi electroabsorption modulator arrays via strain and composition engineering
Yazar:: Ma, Danhao.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2021)