تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
Strain and defect microstructu...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
Strain and defect microstructure in ion-irradiated GeSi/Si strained layers as a function of annealing temperature
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Glasko, J
,
Elliman, R
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Gerald, F
التنسيق:
Journal article
منشور في:
1998
المقتنيات
الوصف
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
مواد مشابهة
Ion irradiation of GeSi Si strained-layer heterostructures
حسب: Glasko, J, وآخرون
منشور في: (1999)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
حسب: Glasko, J, وآخرون
منشور في: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
حسب: Glasko, J, وآخرون
منشور في: (1997)
GeSi strained layers and their applications /
حسب: Stoneham, A. M., وآخرون
منشور في: (1995)
Ge and GeSi electroabsorption modulator arrays via strain and composition engineering
حسب: Ma, Danhao.
منشور في: (2021)