A dissociation mechanism for the [a plus c] dislocation in GaN

A dissociation mechanism for the [a plus c] dislocation in GaN

Mixed-type [a+c] dislocations can be identified in atomic-resolution high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscope images of GaN viewed along [0001] by use of a Burgers loop analysis and by observation of the depth-dependent displacements associated with the Eshelby twist....

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Nellist, P, Hirsch, P, Rhode, S, Horton, M, Lozano, J, Yasuhara, A, Okunishi, E, Zhang, S, Sahonta, S, Kappers, M, Humphreys, C, Moram, M
Định dạng:	Conference item
Được phát hành:	Institute of Physics Publishing 2014

Những quyển sách tương tự

The dissociation of the [a plus c] dislocation in GaN
Bằng: Hirsch, P, et al.
Được phát hành: (2013)

Observation of depth-dependent atomic displacements related to dislocations in GaN by optical sectioning in the STEM
Bằng: Lozano, J, et al.
Được phát hành: (2014)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
Bằng: Oliver, R, et al.
Được phát hành: (2005)

The influence of ammonia on the growth mode in InGaN/GaN heteroepitaxy
Bằng: Oliver, R, et al.
Được phát hành: (2004)

Direct observation of the core structures of threading dislocations in GaN
Bằng: Xin, Y, et al.
Được phát hành: (1998)

Carrier localization mechanisms in InGaN/GaN quantum wells
Bằng: Watson-Parris, D, et al.
Được phát hành: (2011)

Direct observation of depth-dependent atomic displacements associated with dislocations in gallium nitride.
Bằng: Lozano, J, et al.
Được phát hành: (2014)

Electrically driven single InGaN/GaN quantum dot emission
Bằng: Jarjour, A, et al.
Được phát hành: (2008)

DISSOCIATION OF DISLOCATIONS IN DIAMOND
Bằng: Pirouz, P, et al.
Được phát hành: (1983)

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN
Bằng: Yan, J, et al.
Được phát hành: (2004)

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN
Bằng: Yan, J, et al.
Được phát hành: (2004)

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN
Bằng: Yan, J, et al.
Được phát hành: (2004)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot
Bằng: Jarjour, A, et al.
Được phát hành: (2007)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot.
Bằng: Jarjour, A, et al.
Được phát hành: (2007)

V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate
Bằng: Atsushi Tanaka, et al.
Được phát hành: (2019-09-01)

An Experimental Study of Dislocation Dynamics in GaN
Bằng: Eugene B. Yakimov, et al.
Được phát hành: (2023-06-01)

Two-photon autocorrelation measurements on a single InGaN/GaN quantum dot.
Bằng: Collins, D, et al.
Được phát hành: (2009)

Cavity-enhanced blue single-photon emission from a single InGaN/GaN quantum dot
Bằng: Jarjour, A, et al.
Được phát hành: (2007)

Optical studies of non-linear absorption in single InGaN/GaN quantum dots
Bằng: Jarjour, A, et al.
Được phát hành: (2007)

Growth of InGaN quantum dots on GaN by MOVPE, employing a growth temperature nitrogen anneal
Bằng: Oliver, R, et al.
Được phát hành: (2003)

Two-photon absorption from single InGaN/GaN quantum dots
Bằng: Jarjour, A, et al.
Được phát hành: (2006)

Three-dimensional atom probe studies of an InxGa1-xN/GaN multiple quantum well structure: Assessment of possible indium clustering
Bằng: Galtrey, M, et al.
Được phát hành: (2007)

The consequences of high injected carrier densities on carrier localization and efficiency droop in InGaN/GaN quantum well structures
Bằng: Hammersley, S, et al.
Được phát hành: (2012)

Three-dimensional atom probe analysis of green- and blue-emitting In(x)Ga(1-x)N/GaN multiple quantum well structures
Bằng: Galtrey, M, et al.
Được phát hành: (2008)

Atom probe tomography assessment of the impact of electron beam exposure on InxGa1-xN/GaN quantum wells
Bằng: Bennett, SE, et al.
Được phát hành: (2011)

Characterisation of Defects at Non-Polar GaN/InGaN Junctions in Novel Materials for Application in Light Emitting Diodes
Bằng: Severs, J, et al.
Được phát hành: (2014)

Effects of Threading Dislocations on AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors
Bằng: Marino, Fabio Alessio, et al.
Được phát hành: (2011)

Modeling the Effects of Threading Dislocations on Current in AlGaN/GaN HEMT
Bằng: Censong Liu, et al.
Được phát hành: (2023-01-01)

DISSOCIATION OF NEAR-SCREW DISLOCATIONS IN GERMANIUM AND SILICON
Bằng: Gomez, A, et al.
Được phát hành: (1975)

Experimental and theoretical study of the quantum-confined Stark effect in a single InGaN/GaN quantum dot under applied vertical electric field
Bằng: Jarjour, A, et al.
Được phát hành: (2008)

A study of the optical and polarisation properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on a-plane and m-plane GaN substrates
Bằng: Dmytro Kundys, et al.
Được phát hành: (2016-01-01)

Dislocations as channels for the fabrication of sub-surface porous GaN by electrochemical etching
Bằng: Fabien C.-P. Massabuau, et al.
Được phát hành: (2020-03-01)

Influence of dislocations on indium diffusion in semi-polar InGaN/GaN heterostructures
Bằng: Yao Yin, et al.
Được phát hành: (2015-05-01)

Optical cavity efficacy and lasing of focused ion beam milled GaN/InGaN micropillars
Bằng: El-Ella, H, et al.
Được phát hành: (2012)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
Bằng: Kyaw, Zabu, et al.
Được phát hành: (2014)

Response to "Comment on 'Three-dimensional atom probe studies of an InxGa1-N-x/GaN multiple quantum well structure: assessment of possible indium clustering'" [Appl. Phys. Lett. 91, 176101, (2007)]
Bằng: Galtrey, M, et al.
Được phát hành: (2007)

Coherently strained and dislocation‐free architectured AlGaN/GaN submicron‐sized structures
Bằng: Maryam Khalilian, et al.
Được phát hành: (2022-02-01)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
Bằng: Sun, Xiaowei, et al.
Được phát hành: (2013)

Nano-indentation study of dislocation evolution in GaN-based laser diodes
Bằng: Jingjing Chen, et al.
Được phát hành: (2024-03-01)

Influence of dislocation density on internal quantum efficiency of GaN-based semiconductors
Bằng: Jiadong Yu, et al.
Được phát hành: (2017-03-01)