Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Vsa polja
Naslov
Avtor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Išči
Napredno
InGaN quantum dots grown by me...
Citiraj
Pošljite SMS
Pošljite email
Natisni
Izvozi zadetek
Izvozi v RefWorks
Izvozi v EndNoteWeb
Izvozi v EndNote
Permanent link
InGaN quantum dots grown by metalorganic vapor phase epitaxy employing a post-growth nitrogen anneal
Bibliografske podrobnosti
Main Authors:
Oliver, R
,
Briggs, G
,
Kappers, M
,
Humphreys, C
,
Yasin, S
,
Rice, J
,
Smith, J
,
Taylor, R
Format:
Journal article
Izdano:
2003
Zaloga
Opis
Podobne knjige/članki
Knjižničarski pogled
Podobne knjige/članki
InGaN quantum dots grown by MOVPE via a droplet epitaxy route
od: Rice, J, et al.
Izdano: (2004)
Growth of InGaN quantum dots on GaN by MOVPE, employing a growth temperature nitrogen anneal
od: Oliver, R, et al.
Izdano: (2003)
Non-polar (11-20) InGaN quantum dots with short exciton lifetimes grown by metal-organic vapor phase epitaxy
od: Zhu, T, et al.
Izdano: (2013)
GASB GAINSB QUANTUM WELLS GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
od: Haywood, S, et al.
Izdano: (1989)
Dynamics of single InGaN quantum dots
od: Taylor, R, et al.
Izdano: (2004)