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InGaN quantum dots grown by metalorganic vapor phase epitaxy employing a post-growth nitrogen anneal
書目詳細資料
Main Authors:
Oliver, R
,
Briggs, G
,
Kappers, M
,
Humphreys, C
,
Yasin, S
,
Rice, J
,
Smith, J
,
Taylor, R
格式:
Journal article
出版:
2003
持有資料
實物特徵
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