Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
TEM study of compositional pro...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
TEM study of compositional profile in AlGaAs/GaAs quantum wells
Библиографические подробности
Главные авторы:
Zou, J
,
Cai, D
,
Cockayne, D
,
Yuan, S
,
Jagadish, C
Формат:
Conference item
Опубликовано:
1998
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
Anodic-oxide-induced interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells
по: Yuan, S, и др.
Опубликовано: (1998)
Novel impurity-free interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells by anodization and rapid thermal annealing
по: Yuan, S, и др.
Опубликовано: (1997)
GaAs/AlAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector
по: Fan, Weijun
Опубликовано: (2008)
Optical properties of arsenic ions implanted GaAs/AlGaAs V-grooved quantum wires
по: Zhao, Q, и др.
Опубликовано: (2000)
V-grooved GaAs/AlGaAs quantum wires with side wall quantum wells intermixed by pulsed anodization and rapid thermal annealing
по: Kim, Y, и др.
Опубликовано: (1996)