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Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001)
Detalles Bibliográficos
Autores principales:
Liao, X
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Qin, J
,
Jiang, Z
,
Wang, X
,
Leon, R
Formato:
Journal article
Publicado:
1999
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