Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
Strain relaxation by alloying...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001)
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Liao, X
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Qin, J
,
Jiang, Z
,
Wang, X
,
Leon, R
Aineistotyyppi:
Journal article
Julkaistu:
1999
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Samankaltaisia teoksia
Extracting composition and alloying information of coherent Ge(Si)/Si(001) islands from [001] on-zone bright-field diffraction contrast images
Tekijä: Liao, X, et al.
Julkaistu: (2001)
Alloying and Strain Relaxation in SiGe Islands Grown on Pit-Patterned Si(001) Substrates Probed by Nanotomography
Tekijä: Merdzhanova T, et al.
Julkaistu: (2009-01-01)
[001] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(001).
Tekijä: Liao, X, et al.
Julkaistu: (2004)
Alternative mechanism for misfit dislocation generation during high-temperature Ge(Si)/Si(001) island growth
Tekijä: Zou, J, et al.
Julkaistu: (2002)
Alloying, elemental enrichment, and interdiffusion during the growth of Ge(Si)/Si(001) quantum dots
Tekijä: Liao, X, et al.
Julkaistu: (2002)