Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
Strain relaxation by alloying...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001)
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Liao, X
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Qin, J
,
Jiang, Z
,
Wang, X
,
Leon, R
Format:
Journal article
Wydane:
1999
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
Extracting composition and alloying information of coherent Ge(Si)/Si(001) islands from [001] on-zone bright-field diffraction contrast images
od: Liao, X, i wsp.
Wydane: (2001)
Alloying and Strain Relaxation in SiGe Islands Grown on Pit-Patterned Si(001) Substrates Probed by Nanotomography
od: Merdzhanova T, i wsp.
Wydane: (2009-01-01)
[001] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(001).
od: Liao, X, i wsp.
Wydane: (2004)
Alternative mechanism for misfit dislocation generation during high-temperature Ge(Si)/Si(001) island growth
od: Zou, J, i wsp.
Wydane: (2002)
Alloying, elemental enrichment, and interdiffusion during the growth of Ge(Si)/Si(001) quantum dots
od: Liao, X, i wsp.
Wydane: (2002)