توثيق جمعية علم النفس الأمريكية APA (الطبعة السابعة)

Severs, J., Lozano, J., Hooper, S., & Nellist, P. (2014). Characterisation of Defects at Non-Polar GaN/InGaN Junctions in Novel Materials for Application in Light Emitting Diodes. Institute of Physics Publishing.

توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)

Severs, J., J. Lozano, S. Hooper, و P. Nellist. Characterisation of Defects at Non-Polar GaN/InGaN Junctions in Novel Materials for Application in Light Emitting Diodes. Institute of Physics Publishing, 2014.

توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الإصدار التاسع)

Severs, J., et al. Characterisation of Defects at Non-Polar GaN/InGaN Junctions in Novel Materials for Application in Light Emitting Diodes. Institute of Physics Publishing, 2014.

تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.