Characterisation of Defects at Non-Polar GaN/InGaN Junctions in Novel Materials for Application in Light Emitting Diodes

Characterisation of Defects at Non-Polar GaN/InGaN Junctions in Novel Materials for Application in Light Emitting Diodes

Despite the significant progress in the area, III-nitride LEDs still suffer from reduced efficiency due to a high dislocation density associated with a lack of suitable growth substrates and strong polarisation fields along the c-axis, the predominant growth direction, resulting in the quantum confi...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Severs, J, Lozano, J, Hooper, S, Nellist, P
Định dạng:	Conference item
Được phát hành:	Institute of Physics Publishing 2014

Những quyển sách tương tự

InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction
Bằng: Zhang, Zi-Hui, et al.
Được phát hành: (2013)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
Bằng: Kyaw, Zabu, et al.
Được phát hành: (2014)

On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes
Bằng: Zhang, Xueliang, et al.
Được phát hành: (2014)

A hole accelerator for InGaN/GaN light-emitting diodes
Bằng: Zhang, Zi-Hui, et al.
Được phát hành: (2014)

A hole modulator for InGaN/GaN light-emitting diodes
Bằng: Zhang, Zi-Hui, et al.
Được phát hành: (2015)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
Bằng: Sun, Xiaowei, et al.
Được phát hành: (2013)

Efficiency boosting by thermal harvesting in InGaN/GaN light-emitting diodes
Bằng: Lu, Shunpeng, et al.
Được phát hành: (2022)

PN-type quantum barrier for InGaN/GaN light emitting diodes
Bằng: Zhang, Zi-Hui, et al.
Được phát hành: (2013)

Efficiency Boosting by Thermal Harvesting in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
Bằng: Shunpeng Lu, et al.
Được phát hành: (2021-09-01)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
Bằng: Zhang, Zi-Hui, et al.
Được phát hành: (2013)

Advantages of InGaN–GaN–InGaN Delta Barriers for InGaN-Based Laser Diodes
Bằng: Liwen Cheng, et al.
Được phát hành: (2021-08-01)

Insight into the performance of multi-color InGaN/GaN nanorod light emitting diodes
Bằng: Y. Robin, et al.
Được phát hành: (2018-05-01)

On the Importance of the Polarity for GaN/InGaN Last Quantum Barriers in III-Nitride-Based Light-Emitting Diodes
Bằng: Zi-Hui Zhang, et al.
Được phát hành: (2016-01-01)

Spatially Resolved Cathodoluminescence in the Vicinity of Defects in the High-Efficiency InGaN/GaN Blue Light Emitting Diodes
Bằng: Manh-Ha Doan, et al.
Được phát hành: (2014-01-01)

Performance of InGaN/GaN Light Emitting Diodes with n-GaN Layer Embedded with SiO2 Nano-Particles
Bằng: Hong-Seo Yom, et al.
Được phát hành: (2018-09-01)

Investigation of p-type depletion doping for InGaN/GaN-based light-emitting diodes
Bằng: Zhang, Yiping, et al.
Được phát hành: (2017)

InGaN/GaN light-emitting diodes : from modeling to their hybrid applications with novel nanomaterials
Bằng: Hasanov, Namig
Được phát hành: (2017)

Tunneling assisted p-contact free GaN-InGaN green light-emitting diodes
Bằng: Jamshad Bashir, et al.
Được phát hành: (2025-01-01)

Asymmetric tunneling model of forward leakage current in GaN/InGaN light emitting diodes
Bằng: Ting Zhi, et al.
Được phát hành: (2015-08-01)

Polarization self-screening in [0001] oriented InGaN/GaN light-emitting diodes for improving the electron injection efficiency
Bằng: Zhang, Zi-Hui, et al.
Được phát hành: (2016)

Polarization self-screening in [0001] oriented InGaN/GaN light-emitting diodes for improving the electron injection efficiency
Bằng: Zhang, Zi-Hui, et al.
Được phát hành: (2015)

High-Performance Semi-Polar InGaN/GaN Green Micro Light-Emitting Diodes
Bằng: Fei-Fan Xu, et al.
Được phát hành: (2020-01-01)

Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
Bằng: Ju, Zhen Gang, et al.
Được phát hành: (2016)

Photoluminescence of Single GaN/InGaN Nanorod Light Emitting Diode Fabricated on a Wafer Scale
Bằng: Chan, C, et al.
Được phát hành: (2013)

Effect of Same-Temperature GaN Cap Layer on the InGaN/GaN Multiquantum Well of Green Light-Emitting Diode on Silicon Substrate
Bằng: Changda Zheng, et al.
Được phát hành: (2013-01-01)

Nonradiative recombination — critical in choosing quantum well number for InGaN/GaN light-emitting diodes
Bằng: Zhang, Yi Ping, et al.
Được phát hành: (2017)

Improved hole distribution in InGaN/GaN light-emitting diodes with graded thickness quantum barriers
Bằng: Ji, Y., et al.
Được phát hành: (2013)

Light-Emitting Diodes Based on InGaN/GaN Nanowires on Microsphere-Lithography-Patterned Si Substrates
Bằng: Liliia Dvoretckaia, et al.
Được phát hành: (2022-06-01)

Impact of Generation and Relocation of Defects on Optical Degradation of Multi-Quantum-Well InGaN/GaN-Based Light-Emitting Diode
Bằng: Claudia Casu, et al.
Được phát hành: (2022-08-01)

Photoluminescence and Photocurrent from InGaN/GaN Diodes with Quantum Wells of Different Widths and Polarities
Bằng: Artem Bercha, et al.
Được phát hành: (2025-01-01)

Investigation of Forward Tunneling Characteristics of InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes on Freestanding GaN Detached from a Si Substrate
Bằng: Moonsang Lee, et al.
Được phát hành: (2018-07-01)

High Bandwidth Freestanding Semipolar (11–22) InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
Bằng: Zhiheng Quan, et al.
Được phát hành: (2016-01-01)

Demonstration of Efficient Ultrathin Side-Emitting InGaN/GaN Flip-Chip Light-Emitting Diodes by Double Side Reflectors
Bằng: Tae Kyoung Kim, et al.
Được phát hành: (2022-04-01)

p-doping-free InGaN/GaN light-emitting diode driven by three-dimensional hole gas
Bằng: Sun, Xiao Wei, et al.
Được phát hành: (2015)

Efficiency improvement by using metal–insulator-semiconductor structure in InGaN/GaN micro-light-emitting diodes
Bằng: Jian Yin, et al.
Được phát hành: (2024-03-01)

Hexagonal Boron Nitride Passivation Layer for Improving the Performance and Reliability of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
Bằng: Gun-Hee Lee, et al.
Được phát hành: (2021-10-01)

Enhanced Optoelectronic Performance of Yellow Light-Emitting Diodes Grown on InGaN/GaN Pre-Well Structure
Bằng: Xiaoyu Zhao, et al.
Được phát hành: (2021-11-01)

Enhancing reliability of InGaN/GaN light-emitting diodes by controlling the etching profile of the current blocking layer
Bằng: Shui-Hsiang Su, et al.
Được phát hành: (2020-01-01)

Efficiency Droop Improvement in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes by Graded-Composition Multiple Quantum Wells
Bằng: Li-Hong Zhu, et al.
Được phát hành: (2013-01-01)

The impact of point defects in n-type GaN layers on thermal decomposition of InGaN/GaN QWs
Bằng: Mikolaj Grabowski, et al.
Được phát hành: (2021-01-01)