On the locking of dislocations by oxygen in silicon

On the locking of dislocations by oxygen in silicon

Locking of dislocations by oxygen atoms in Czochralski silicon has been investigated both experimentally and theoretically. Experiments were performed at annealing temperatures between 700 and 850°C for different annealing times and different oxygen concentrations. These showed five distinct regimes...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Senkader, S, Jurkschat, K, Gambaro, D, Falster, R, Wilshaw, P
Médium:	Journal article
Jazyk:	English
Vydáno:	2001

Podobné jednotky

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (1999)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2001)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (1999)

Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2004)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Dislocation locking by oxygen in silicon: New insights to oxygen diffusion at low temperatures
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2002)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2005)

Impurity locking of dislocations in silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2004)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2003)

A study of oxygen dislocation interactions in CZ-Si
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2000)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
Autor: Jurkschat, K, a další
Vydáno: (2001)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2007)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2004)

Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2002)

On the dislocation-oxygen interactions in Czochralski-grown Si: oxygen diffusion and binding at low temperatures
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2002)

A room temperature cathodoluminescence study of dislocations in silicon
Autor: Stowe, D, a další
Vydáno: (2004)

The use of numerical simulation to predict the unlocking stress of dislocations in Cz-silicon wafers
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2003)

Near-band gap luminescence at room temperature from dislocations in silicon
Autor: Stowe, D, a další
Vydáno: (2003)

The role of dislocations in producing efficient near-bandgap luminescence from silicon
Autor: Fraser, K, a další
Vydáno: (2007)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2008)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Efficient, room-temperature, near-band gap luminescence by gettering in ion implanted silicon
Autor: Stowe, D, a další
Vydáno: (2005)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1989)

MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC
Autor: Ourmazd, A, a další
Vydáno: (1982)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Autor: Fell, T, a další
Vydáno: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Autor: Fell, T, a další
Vydáno: (1989)