Band offsets at the Si/SiO2 interface from many-body perturbation theory.

Band offsets at the Si/SiO2 interface from many-body perturbation theory.

Hiển thị phiên bản (1) khác

We use many-body perturbation theory, the state-of-the-art method for band-gap calculations, to compute the band offsets at the Si/SiO2 interface. We examine the adequacy of the usual approximations in this context. We show that (i) the separate treatment of band structure and potential lineup contr...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Shaltaf, R, Rignanese, G, Gonze, X, Giustino, F, Pasquarello, A
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2008

Những quyển sách tương tự

Band offsets at the Si/SiO2 interface from many-body perturbation theory
Bằng: Shaltaf, R, et al.
Được phát hành: (2008)

Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
Bằng: Giustino, F, et al.
Được phát hành: (2005)

Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Bằng: Giustino, F, et al.
Được phát hành: (2004)

Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
Bằng: Devynck, F, et al.
Được phát hành: (2005)

Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
Bằng: Giustino, F, et al.
Được phát hành: (2005)

Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
Bằng: Godet, J, et al.
Được phát hành: (2007)

Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
Bằng: Giustino, F, et al.
Được phát hành: (2005)

Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
Bằng: Devynck, F, et al.
Được phát hành: (2007)

Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
Bằng: Devynck, F, et al.
Được phát hành: (2007)

Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
Bằng: Giustino, F, et al.
Được phát hành: (2002)

Dielectric and infrared properties of ultrathin SiO2 layers on Si(100)
Bằng: Giustino, F, et al.
Được phát hành: (2006)

Dielectric effect of a thin SiO2 interlayer at the interface between silicon and high-k oxides
Bằng: Giustino, F, et al.
Được phát hành: (2004)

Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Bằng: Devynck, F, et al.
Được phát hành: (2007)

First-principles theory of infrared absorption spectra at surfaces and interfaces: Application to the Si(100): H(2)O surface
Bằng: Giustino, F, et al.
Được phát hành: (2008)

Relationship between band-offset, gate leakage current, and interface states density at SiO2/4H-SiC (000-1) interface
Bằng: Efi Dwi Indari, et al.
Được phát hành: (2019-04-01)

High-Quality <i>SiO</i><sub>2</sub>/O-Terminated Diamond Interface: Band-Gap, Band-Offset and Interfacial Chemistry
Bằng: Jesús Cañas, et al.
Được phát hành: (2022-11-01)

Infrared properties of ultrathin oxides on Si(100)
Bằng: Giustino, F, et al.
Được phát hành: (2005)

Comparison of interfaces, band alignments, and tunneling currents between crystalline and amorphous silica in Si/SiO2/Si structures
Bằng: Eunjung Ko, et al.
Được phát hành: (2022-01-01)

Band-offset determination and excitons in SiGe/Si(001) quantum wells
Bằng: Cheng, H, et al.
Được phát hành: (2000)

Exciton formation dynamics at the SiO2/Si interface
Bằng: Sergio Revuelta, et al.
Được phát hành: (2023-11-01)

Theory of atomic-scale dielectric permittivity at insulator interfaces
Bằng: Giustino, F, et al.
Được phát hành: (2005)

On the Dependence of Band Alignment of SiO₂/Si Stack on SiO₂ Thickness: Extrinsic Or Intrinsic?
Bằng: Yonggui Xu, et al.
Được phát hành: (2020-01-01)

Investigation of Boron Distribution at the SiO2/Si Interface of Monolayer Doping
Bằng: Shu-Han Hsu, et al.
Được phát hành: (2021-01-01)

Impact of post-deposition annealing on SiO2/SiC interfaces formed by plasma nitridation of the SiC surface and SiO2 deposition
Bằng: Hiroki Fujimoto, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

Many-Body Perturbation Theories for Finite Nuclei
Bằng: Alexander Tichai, et al.
Được phát hành: (2020-06-01)

Padé resummation of many-body perturbation theories
Bằng: Y. Pavlyukh
Được phát hành: (2017-03-01)

SiO2/Si interface oxidation and defects in O2 plasma processing
Bằng: Shota Nunomura, et al.
Được phát hành: (2025-01-01)

Properties of the Si-SiO2 Interfaces in MOS Structures with Nitrogen Doped Silicon
Bằng: Ladislav Harmatha, et al.
Được phát hành: (2006-01-01)

Ultrahigh Vacuum Preparation and Passivation of Abrupt SiO2/Si(111) Interfaces
Bằng: Bert Stegemann, et al.
Được phát hành: (2007-12-01)

N-channel field-effect mobility inversely proportional to the interface state density at the conduction band edges of SiO2/4H-SiC interfaces
Bằng: Hironori Yoshioka, et al.
Được phát hành: (2015-01-01)

Investigating the mechanism of SiO2/4H-SiC interface traps passivation by boron incorporation through FT-IR analysis of near-interface SiO2
Bằng: Runze Wang, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

The formation and evolution of SiO/SiO2 nanostructures /
Bằng: 437818 Nurul Huda Abu Bakar, et al.
Được phát hành: (2009)

Second harmonic generation and broad-band photoluminescence in mesoporous Si/SiO2 nanoparticles
Bằng: Mastalieva Viktoriia, et al.
Được phát hành: (2024-08-01)

BAND ALIGNMENT OF ULTRATHIN GIZO/SiO2/Si HETEROSTRUCTURE DETERMINED BY ELECTRON SPECTROSCOPY
Bằng: Hee Jae Kang2, et al.
Được phát hành: (2011-11-01)

Erratum: Padé resummation of many-body perturbation theories
Bằng: Y. Pavlyukh
Được phát hành: (2017-08-01)

Band alignment at interfaces of synthetic few-monolayer MoS2 with SiO2 from internal photoemission
Bằng: I. Shlyakhov, et al.
Được phát hành: (2018-02-01)

Charge injection at carbon nanotube-SiO2 interface
Bằng: Ong, Hock Guan, et al.
Được phát hành: (2011)

Patterning of SiO2 interfaces for radiative cooling applications
Bằng: Zhenmin Ding, et al.
Được phát hành: (2023-01-01)

Enhancement of confined femto-ablation at SiO2/Si interface by embedded metallic nanoparticles
Bằng: Rehman, Zia Ur, et al.
Được phát hành: (2018)

Ab initio calculation of silicon monovacancy defect in amorphous-SiO2/Si interface
Bằng: Pei Yao, et al.
Được phát hành: (2022-05-01)