An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon

অনুরূপ উপাদানগুলি

• A direct evidence of fatigue damage growth inside silicon MEMS structures obtained with EBIC technique
  অনুযায়ী: Vu Le Huy, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2014-06-01)
• NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
  অনুযায়ী: Wilshaw, P, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (1985)
• EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
  অনুযায়ী: Fell, T, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (1993)
• Electronic and Optical Properties of Dislocations in Silicon
  অনুযায়ী: Manfred Reiche, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2016-06-01)
• QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
  অনুযায়ী: Fell, T, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (1991)