Preskoči na sadržaj
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Sva polja
Naslov
Autor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Pronađi
Napredno
A novel mechanism of voltage s...
Citiraj ovo
Pošalji tekstualnu poruku
Pošalji ovo e-mailom
Ispiši
Izvezi zapis
Izvezi u RefWorks
Izvezi u EndNoteWeb
Izvezi u EndNote
Stalna poveznica
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Pokaži ostale verzije (2)
Bibliografski detalji
Glavni autori:
Rapedius, M
,
Schewe, M
,
Nematian-Ardestani, E
,
Linke, T
,
Benndorf, K
,
Tucker, S
,
Baukrowitz, T
Format:
Conference item
Izdano:
2014
Primjerci
Opis
Ostale verzije (2)
Slični predmeti
Prikaz za djelatnike knjižnice
Slični predmeti
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
od: Schewe, M, i dr.
Izdano: (2014)
A Novel Mechanism of Voltage Sensing and Gating in K2P Potassium Channels
od: Schewe, M, i dr.
Izdano: (2014)
A non-canonical voltage-sensing mechanism controls gating in K2P K(+) channels
od: Schewe, M, i dr.
Izdano: (2016)
Insights into the structural nature of the transition state in the Kir channel gating pathway.
od: Fowler, P, i dr.
Izdano: (2014)
H bonding at the helix-bundle crossing controls gating in Kir potassium channels.
od: Rapedius, M, i dr.
Izdano: (2007)