تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
A novel mechanism of voltage s...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
عرض إصدارات أخرى (2)
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Rapedius, M
,
Schewe, M
,
Nematian-Ardestani, E
,
Linke, T
,
Benndorf, K
,
Tucker, S
,
Baukrowitz, T
التنسيق:
Conference item
منشور في:
2014
المقتنيات
الوصف
إصدارات أخرى (2)
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
الوصف
الملخص:
مواد مشابهة
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
حسب: Schewe, M, وآخرون
منشور في: (2014)
A Novel Mechanism of Voltage Sensing and Gating in K2P Potassium Channels
حسب: Schewe, M, وآخرون
منشور في: (2014)
A non-canonical voltage-sensing mechanism controls gating in K2P K(+) channels
حسب: Schewe, M, وآخرون
منشور في: (2016)
Insights into the structural nature of the transition state in the Kir channel gating pathway.
حسب: Fowler, P, وآخرون
منشور في: (2014)
H bonding at the helix-bundle crossing controls gating in Kir potassium channels.
حسب: Rapedius, M, وآخرون
منشور في: (2007)