Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
A novel mechanism of voltage s...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Show other versions (2)
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Rapedius, M
,
Schewe, M
,
Nematian-Ardestani, E
,
Linke, T
,
Benndorf, K
,
Tucker, S
,
Baukrowitz, T
פורמט:
Conference item
יצא לאור:
2014
מלאי ספרים
תיאור
Other Versions (2)
פריטים דומים
תצוגת צוות
תיאור
סיכום:
פריטים דומים
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
מאת: Schewe, M, et al.
יצא לאור: (2014)
A Novel Mechanism of Voltage Sensing and Gating in K2P Potassium Channels
מאת: Schewe, M, et al.
יצא לאור: (2014)
A non-canonical voltage-sensing mechanism controls gating in K2P K(+) channels
מאת: Schewe, M, et al.
יצא לאור: (2016)
Insights into the structural nature of the transition state in the Kir channel gating pathway.
מאת: Fowler, P, et al.
יצא לאור: (2014)
H bonding at the helix-bundle crossing controls gating in Kir potassium channels.
מאת: Rapedius, M, et al.
יצא לאור: (2007)