Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
A novel mechanism of voltage s...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Pokaż inne wersje (2)
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Rapedius, M
,
Schewe, M
,
Nematian-Ardestani, E
,
Linke, T
,
Benndorf, K
,
Tucker, S
,
Baukrowitz, T
Format:
Conference item
Wydane:
2014
Egzemplarz
Opis
Inne wersje (2)
Podobne zapisy
Wersja MARC
Opis
Streszczenie:
Podobne zapisy
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
od: Schewe, M, i wsp.
Wydane: (2014)
A Novel Mechanism of Voltage Sensing and Gating in K2P Potassium Channels
od: Schewe, M, i wsp.
Wydane: (2014)
A non-canonical voltage-sensing mechanism controls gating in K2P K(+) channels
od: Schewe, M, i wsp.
Wydane: (2016)
Insights into the structural nature of the transition state in the Kir channel gating pathway.
od: Fowler, P, i wsp.
Wydane: (2014)
H bonding at the helix-bundle crossing controls gating in Kir potassium channels.
od: Rapedius, M, i wsp.
Wydane: (2007)