A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Asıl Yazarlar: | Rapedius, M, Schewe, M, Nematian-Ardestani, E, Linke, T, Benndorf, K, Tucker, S, Baukrowitz, T |
---|---|
Materyal Türü: | Conference item |
Baskı/Yayın Bilgisi: |
2014
|
Benzer Materyaller
-
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Yazar:: Schewe, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014) -
A Novel Mechanism of Voltage Sensing and Gating in K2P Potassium Channels
Yazar:: Schewe, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014) -
A non-canonical voltage-sensing mechanism controls gating in K2P K(+) channels
Yazar:: Schewe, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016) -
Insights into the structural nature of the transition state in the Kir channel gating pathway.
Yazar:: Fowler, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014) -
H bonding at the helix-bundle crossing controls gating in Kir potassium channels.
Yazar:: Rapedius, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)