Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
A novel mechanism of voltage s...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Veure altres versions (2)
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Rapedius, M
,
Schewe, M
,
Nematian-Ardestani, E
,
Linke, T
,
Benndorf, K
,
Tucker, S
,
Baukrowitz, T
Format:
Conference item
Publicat:
2014
Fons
Descripció
Altra versió (2)
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
per: Schewe, M, et al.
Publicat: (2014)
A Novel Mechanism of Voltage Sensing and Gating in K2P Potassium Channels
per: Schewe, M, et al.
Publicat: (2014)
A non-canonical voltage-sensing mechanism controls gating in K2P K(+) channels
per: Schewe, M, et al.
Publicat: (2016)
Insights into the structural nature of the transition state in the Kir channel gating pathway.
per: Fowler, P, et al.
Publicat: (2014)
H bonding at the helix-bundle crossing controls gating in Kir potassium channels.
per: Rapedius, M, et al.
Publicat: (2007)