Pular para o conteúdo
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Todos os campos
Título
Autor
Assunto
Número de Chamada
ISBN/ISSN
Tag
Buscar
Avançada
A novel mechanism of voltage s...
Citar
Enviar por SMS
Enviar por e-mail
Imprimir
Exportar registro
Exportar para RefWorks
Exportar para EndNoteWeb
Exportar para EndNote
Link permanente
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Mostrar outras versões (2)
Detalhes bibliográficos
Principais autores:
Rapedius, M
,
Schewe, M
,
Nematian-Ardestani, E
,
Linke, T
,
Benndorf, K
,
Tucker, S
,
Baukrowitz, T
Formato:
Conference item
Publicado em:
2014
Itens
Descrição
Outras versões (2)
Registros relacionados
Registro fonte
Registros relacionados
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
por: Schewe, M, et al.
Publicado em: (2014)
A Novel Mechanism of Voltage Sensing and Gating in K2P Potassium Channels
por: Schewe, M, et al.
Publicado em: (2014)
A non-canonical voltage-sensing mechanism controls gating in K2P K(+) channels
por: Schewe, M, et al.
Publicado em: (2016)
Insights into the structural nature of the transition state in the Kir channel gating pathway.
por: Fowler, P, et al.
Publicado em: (2014)
H bonding at the helix-bundle crossing controls gating in Kir potassium channels.
por: Rapedius, M, et al.
Publicado em: (2007)