Chuyển đến nội dung
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Ngôn ngữ
Tất cả các trường
Tiêu đề
Tác giả
Chủ đề
Số hiệu
số ISBN/ISSN
Nhãn
Tìm kiếm
Nâng cao
A novel mechanism of voltage s...
Trích dẫn điều này
Văn bản này
Email này
In
Xuất bản ghi
Xuất tới RefWorks
Xuất tới EndNoteWeb
Xuất tới EndNote
Liên kết dài hạn
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Hiển thị phiên bản (2) khác
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:
Rapedius, M
,
Schewe, M
,
Nematian-Ardestani, E
,
Linke, T
,
Benndorf, K
,
Tucker, S
,
Baukrowitz, T
Định dạng:
Conference item
Được phát hành:
2014
Đang giữ
Miêu tả
Phiên bản (2) khác
Những quyển sách tương tự
Chế độ xem nhân viên
Những quyển sách tương tự
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Bằng: Schewe, M, et al.
Được phát hành: (2014)
A Novel Mechanism of Voltage Sensing and Gating in K2P Potassium Channels
Bằng: Schewe, M, et al.
Được phát hành: (2014)
A non-canonical voltage-sensing mechanism controls gating in K2P K(+) channels
Bằng: Schewe, M, et al.
Được phát hành: (2016)
Insights into the structural nature of the transition state in the Kir channel gating pathway.
Bằng: Fowler, P, et al.
Được phát hành: (2014)
H bonding at the helix-bundle crossing controls gating in Kir potassium channels.
Bằng: Rapedius, M, et al.
Được phát hành: (2007)