Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Dielectric effect of a thin Si...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
Dielectric effect of a thin SiO2 interlayer at the interface between silicon and high-k oxides
Библиографические подробности
Главные авторы:
Giustino, F
,
Umari, P
,
Pasquarello, A
Формат:
Conference item
Опубликовано:
2004
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
Electronic and dielectric properties of a suboxide interlayer at the silicon-oxide interface in MOS devices
по: Giustino, F, и др.
Опубликовано: (2005)
Dielectric discontinuity at interfaces in the atomic-scale limit: permittivity of ultrathin oxide films on silicon.
по: Giustino, F, и др.
Опубликовано: (2003)
Equivalent oxide thickness of a thin oxide interlayer in gate insulator stacks on silicon
по: Giustino, F, и др.
Опубликовано: (2005)
Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
по: Giustino, F, и др.
Опубликовано: (2005)
Atomic-scale investigation of the dielectric screening at the interface between silicon and its oxide
по: Giustino, F, и др.
Опубликовано: (2004)