Common methods for the preparation of clean A- And B-type GaN surfaces assessed by STM, RHEED and XPS

Common methods for the preparation of clean A- And B-type GaN surfaces assessed by STM, RHEED and XPS

Показати інші версії (1)

The preparation of clean GaN surfaces is necessary in order to study the fundamental properties of GaN surfaces, a subject of increasing scientific and industrial relevance. Here, we identify the effect of two common surface cleaning treatments (annealing in ammonia, and sputtering in nitrogen follo...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Oliver, R, Nörenberg, C, Martin, MG, Crossley, A, Castell, MR, Briggs, G
Формат:	Journal article
Мова:	English
Опубліковано:	2004

Схожі ресурси

Common methods for the preparation of clean A- and B-type GaN surfaces assessed by STM, RHEED and XPS
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2003)

Stranski-Krastanov growth of InN nanostructures on GaN studied by RHEED, STM and AFM
за авторством: Norenberg, C, та інші
Опубліковано: (2002)

The surface structure of CeO2(110) single crystals studied by STM and RHEED
за авторством: Norenberg, H, та інші
Опубліковано: (1999)

Heteroepitaxial growth of InN islands on GaN(0001) and Si(111): a combined STM/AFM study
за авторством: Norenberg, C, та інші
Опубліковано: (2001)

Visualization of precipitation induced crystallographic shear planes as one-dimensional structures on surfaces: an STM and RHEED study on TiO2(110)
за авторством: Norenberg, H, та інші
Опубліковано: (1998)

Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
за авторством: Goldfarb, I, та інші
Опубліковано: (1999)

Phase transition on the Si(001) clean surface prepared in UHV MBE chamber: a study by high-resolution STM and <it>in situ </it>RHEED
за авторством: Arapkina Larisa, та інші
Опубліковано: (2011-01-01)

Heteroepitaxial growth of InN islands studied by STM and AFM
за авторством: Norenberg, C, та інші
Опубліковано: (2002)

Gallium nitride surface preparation optimised using in situ scanning tunnelling microscopy
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2003)

MBE growth of high electron mobility 2DEGs in AlGaN/GaN heterostructures controlled by RHEED
за авторством: D. Broxtermann, та інші
Опубліковано: (2012-03-01)

Gallium nitride surface preparation optimised using in situ scanning tunnelling microscopy
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2003)

Defect formation on CeO2(111) surfaces after annealing studied by STM
за авторством: Norenberg, H, та інші
Опубліковано: (1999)

Atomic and electronic surface structures of dopants in oxides: STM and XPS of Nb- and La-doped SrTiO3(001)
за авторством: Marshall, M, та інші
Опубліковано: (2011)

An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
за авторством: Norenberg, H, та інші
Опубліковано: (1999)

Surface structure of CeO2(111) studied by low current STM and electron diffraction
за авторством: Norenberg, H, та інші
Опубліковано: (1998)

Surface structure of the most oxygen deficient Magneli phase - an STM study of Ti4O7
за авторством: Norenberg, H, та інші
Опубліковано: (1998)

An STM study of the UO2(001) surface
за авторством: Muggelberg, C, та інші
Опубліковано: (1999)

Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures
за авторством: Norenberg, H, та інші
Опубліковано: (1998)

Interfacial band parameters of ultrathin ALD-ZrO2 on Ga-polar GaN through XPS measurements
за авторством: Shuoyang Qiu, та інші
Опубліковано: (2023-05-01)

Update 2.0 to rheed++: A complex computer model for dynamical one-beam calculations of RHEED intensity oscillations
за авторством: Andrzej Daniluk
Опубліковано: (2022-06-01)

The surface structure of TiO2(001) after high temperature annealing studied by AFM, STM, and optical microscopy
за авторством: Norenberg, H, та інші
Опубліковано: (2000)

Automation of in-situ RHEED analysis by LabView
за авторством: Tan, San San.
Опубліковано: (2009)

Self-assembly of trimetallic nitride template fullerenes on surfaces studied by STM
за авторством: Leigh, D, та інші
Опубліковано: (2007)

Imaging insulating oxides by elevated-temperature STM
за авторством: Castell, M, та інші
Опубліковано: (1998)

Thermally Induced Surface Structure and Morphology Evolution in Bimetallic Pt-Au/HOPG Nanoparticles as Probed Using XPS and STM
за авторством: Alexey Yu. Fedorov, та інші
Опубліковано: (2023-12-01)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2005)

Self-assembly of trimetallic nitride template fullerenes on surfaces studied by STM
за авторством: Leigh, D, та інші
Опубліковано: (2007)

STM and STS of oxide ultrathin films
за авторством: Castell, M
Опубліковано: (2018)

The Identity of the Herb ‘Todda–Vaddi’in Van Rheede’s Hortus Malabaricus
за авторством: Jisha Daniel, та інші
Опубліковано: (2021-09-01)

The influence of ammonia on the growth mode in InGaN/GaN heteroepitaxy
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2004)

The atomic structure of the UO2 (111) surface and the effects of additional surface oxygen studied by elevated temperature STM
за авторством: Muggelberg, C, та інші
Опубліковано: (1998)

Nanostructures on the SrTiO3(001) surface studied by STM
за авторством: Castell, M
Опубліковано: (2002)

Unexpected differences in the surface electronic structure of NiO and CoO observed by STM and explained by first-principles theory
за авторством: Castell, M, та інші
Опубліковано: (1999)

The atomic structure of the UO2+x(110) surface and the effects of interstitial oxygen: an elevated-temperature STM study
за авторством: Muggelberg, C, та інші
Опубліковано: (1998)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: Kyaw, Zabu, та інші
Опубліковано: (2014)

RHEED Study of the Epitaxial Growth of Silicon and Germanium on Highly Oriented Pyrolytic Graphite
за авторством: Kirill A. Lozovoy, та інші
Опубліковано: (2024-04-01)

Nucleation and growth of GaN/AlN quantum dots
за авторством: Adelmann, C, та інші
Опубліковано: (2004)

The efficacy of XP-endo shaper (XPS) in cleaning the apical third of the root canal
за авторством: Živković Slavoljub, та інші
Опубліковано: (2017-01-01)

Leakage current in GaN-on-GaN vertical GaN SBDs grown by HVPE on native GaN substrates
за авторством: Weiyi Jin, та інші
Опубліковано: (2024-09-01)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
за авторством: Sun, Xiaowei, та інші
Опубліковано: (2013)