Selective self-assembly and characterization of GaN nanopyramids on m-plane InGaN/GaN quantum disks.
Semiconductor nanopyramids (NPs) provide advantages in the development of novel functional optoelectronic devices due to their unique size-dependent properties. Here we demonstrate a new method for the fabrication of selectively self-assembled single-crystalline GaN NPs on the m-plane of periodicall...
Հիմնական հեղինակներ: | Park, Y, Holmes, M, Taylor, R, Kim, K, Lee, S, Ju, H, Im, H |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
2012
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Selective self-assembly and characterization of GaN nanopyramids on m-plane InGaN/GaN quantum disks (vol 23, 405602, 2012)
: Park, Y, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
Quantum confined Stark effect of InGaN/GaN multi-quantum disks grown on top of GaN nanorods.
: Park, Y, և այլն
Հրապարակվել է: (2010) -
Linearly polarized photoluminescence of InGaN quantum disks embedded in GaN nanorods
: Park, Y, և այլն
Հրապարակվել է: (2018) -
On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
: Kyaw, Zabu, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
: Sun, Xiaowei, և այլն
Հրապարակվել է: (2013)