Saltar al contenido
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Lenguaje
Todos los Campos
Título
Autor
Materia
Número de Clasificación
ISBN/ISSN
Etiqueta
Buscar
Avanzado
INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONF...
Citar
Describir
Enviar este por Correo electrónico
Imprimir
Exportar Registro
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enlace Permanente
INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONFINEMENT POTENTIAL OF GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS
Detalles Bibliográficos
Autores principales:
Michels, J
,
Nicholas, R
,
Summers, G
,
Symons, D
,
Foxon, C
,
Harris, J
Formato:
Journal article
Publicado:
1995
Existencias
Descripción
Ejemplares similares
Vista Equipo
Ejemplares similares
MAGNETOOPTICAL STUDIES OF SCREENED EXCITONS IN GAAS/ALXGA1-XAS MODULATION-DOPED QUANTUM-WELLS
por: Henriques, A, et al.
Publicado: (1992)
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
por: Ahmed Z. Obaid, et al.
Publicado: (2024-09-01)
SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
por: Oleg V. Devitsky, et al.
Publicado: (2022-05-01)
Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
por: Tan, H, et al.
Publicado: (1996)
ELECTRON-LO-PHONON SCATTERING RATES IN GAAS-ALXGA1-XAS QUANTUM-WELLS
por: Weber, G, et al.
Publicado: (1991)