Aller au contenu
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Langue
Tous les champs
Titre
Auteur
Sujet
Cote
ISBN/ISSN
Tag
Rechercher
Recherche avancée
INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONF...
Citer
Envoyer par SMS
Envoyer par courriel
Imprimer
Exporter les notices
Exporter vers RefWorks
Exporter vers EndNoteWeb
Exporter vers EndNote
Permalien
INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONFINEMENT POTENTIAL OF GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS
Détails bibliographiques
Auteurs principaux:
Michels, J
,
Nicholas, R
,
Summers, G
,
Symons, D
,
Foxon, C
,
Harris, J
Format:
Journal article
Publié:
1995
Exemplaires
Description
Documents similaires
Affichage MARC
Documents similaires
MAGNETOOPTICAL STUDIES OF SCREENED EXCITONS IN GAAS/ALXGA1-XAS MODULATION-DOPED QUANTUM-WELLS
par: Henriques, A, et autres
Publié: (1992)
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
par: Ahmed Z. Obaid, et autres
Publié: (2024-09-01)
SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
par: Oleg V. Devitsky, et autres
Publié: (2022-05-01)
Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
par: Tan, H, et autres
Publié: (1996)
ELECTRON-LO-PHONON SCATTERING RATES IN GAAS-ALXGA1-XAS QUANTUM-WELLS
par: Weber, G, et autres
Publié: (1991)