Pular para o conteúdo
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Todos os campos
Título
Autor
Assunto
Número de Chamada
ISBN/ISSN
Tag
Buscar
Avançada
INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONF...
Citar
Enviar por SMS
Enviar por e-mail
Imprimir
Exportar registro
Exportar para RefWorks
Exportar para EndNoteWeb
Exportar para EndNote
Link permanente
INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONFINEMENT POTENTIAL OF GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS
Detalhes bibliográficos
Principais autores:
Michels, J
,
Nicholas, R
,
Summers, G
,
Symons, D
,
Foxon, C
,
Harris, J
Formato:
Journal article
Publicado em:
1995
Itens
Descrição
Registros relacionados
Registro fonte
Registros relacionados
MAGNETOOPTICAL STUDIES OF SCREENED EXCITONS IN GAAS/ALXGA1-XAS MODULATION-DOPED QUANTUM-WELLS
por: Henriques, A, et al.
Publicado em: (1992)
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
por: Ahmed Z. Obaid, et al.
Publicado em: (2024-09-01)
SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
por: Oleg V. Devitsky, et al.
Publicado em: (2022-05-01)
Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
por: Tan, H, et al.
Publicado em: (1996)
ELECTRON-LO-PHONON SCATTERING RATES IN GAAS-ALXGA1-XAS QUANTUM-WELLS
por: Weber, G, et al.
Publicado em: (1991)