বিষয়বস্তু এড়িয়ে যান
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
ভাষা
সমস্ত ক্ষেত্রসমূহ
আখ্যা
লেখক
বিষয়
ডাক সংখ্যা
আইসবিএন/আইএসএসএন
ট্যাগ
অনুসন্ধান
বিস্তৃত
CHEMICAL MICROANALYSIS OF SEMI...
সাইট করুন
এই পাঠটি
এই ই-মেইলটি
মুদ্রণ
নথি এক্সপোর্ট করুন
এক্সপোর্ট করুন RefWorks
এক্সপোর্ট করুন EndNoteWeb
এক্সপোর্ট করুন EndNote
স্থায়ী লিঙ্ক
CHEMICAL MICROANALYSIS OF SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES BY THICKNESS FRINGE IMAGING
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:
Glaisher, R
,
Cockayne, D
বিন্যাস:
Journal article
প্রকাশিত:
1993
হোল্ডিংস
বিবরন
অনুরূপ উপাদানগুলি
স্টাফেদের বিবরণ দেখুন
অনুরূপ উপাদানগুলি
DISLOCATION GEOMETRIES IN SEMICONDUCTORS AND IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
অনুযায়ী: Cockayne, D, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991)
LATTICE FRINGE IMAGING OF MODULATED STRUCTURES
অনুযায়ী: Cockayne, D, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1981)
RECENT DEVELOPMENTS IN THE STUDY OF SEMICONDUCTORS BY ATOM PROBE MICROANALYSIS.
অনুযায়ী: Grovenor, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1985)
Limitations on the s-state approach to the interpretation of sub-angstrom resolution electron microscope images and microanalysis.
অনুযায়ী: Anstis, G, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2003)
CRITICAL THICKNESS DETERMINATION OF INXGA1-XAS/GAAS STRAINED-LAYER SYSTEM BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
অনুযায়ী: Zou, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991)