Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
CHEMICAL MICROANALYSIS OF SEMI...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
CHEMICAL MICROANALYSIS OF SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES BY THICKNESS FRINGE IMAGING
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Glaisher, R
,
Cockayne, D
Format:
Journal article
Publicat:
1993
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
DISLOCATION GEOMETRIES IN SEMICONDUCTORS AND IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
per: Cockayne, D, et al.
Publicat: (1991)
LATTICE FRINGE IMAGING OF MODULATED STRUCTURES
per: Cockayne, D, et al.
Publicat: (1981)
RECENT DEVELOPMENTS IN THE STUDY OF SEMICONDUCTORS BY ATOM PROBE MICROANALYSIS.
per: Grovenor, C, et al.
Publicat: (1985)
Limitations on the s-state approach to the interpretation of sub-angstrom resolution electron microscope images and microanalysis.
per: Anstis, G, et al.
Publicat: (2003)
CRITICAL THICKNESS DETERMINATION OF INXGA1-XAS/GAAS STRAINED-LAYER SYSTEM BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
per: Zou, J, et al.
Publicat: (1991)