Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
CHEMICAL MICROANALYSIS OF SEMI...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
CHEMICAL MICROANALYSIS OF SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES BY THICKNESS FRINGE IMAGING
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Glaisher, R
,
Cockayne, D
Format:
Journal article
Wydane:
1993
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
DISLOCATION GEOMETRIES IN SEMICONDUCTORS AND IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
od: Cockayne, D, i wsp.
Wydane: (1991)
LATTICE FRINGE IMAGING OF MODULATED STRUCTURES
od: Cockayne, D, i wsp.
Wydane: (1981)
RECENT DEVELOPMENTS IN THE STUDY OF SEMICONDUCTORS BY ATOM PROBE MICROANALYSIS.
od: Grovenor, C, i wsp.
Wydane: (1985)
Limitations on the s-state approach to the interpretation of sub-angstrom resolution electron microscope images and microanalysis.
od: Anstis, G, i wsp.
Wydane: (2003)
CRITICAL THICKNESS DETERMINATION OF INXGA1-XAS/GAAS STRAINED-LAYER SYSTEM BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
od: Zou, J, i wsp.
Wydane: (1991)