Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
CHEMICAL MICROANALYSIS OF SEMI...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
CHEMICAL MICROANALYSIS OF SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES BY THICKNESS FRINGE IMAGING
Бібліографічні деталі
Автори:
Glaisher, R
,
Cockayne, D
Формат:
Journal article
Опубліковано:
1993
Примірники
Опис
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Схожі ресурси
DISLOCATION GEOMETRIES IN SEMICONDUCTORS AND IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
за авторством: Cockayne, D, та інші
Опубліковано: (1991)
LATTICE FRINGE IMAGING OF MODULATED STRUCTURES
за авторством: Cockayne, D, та інші
Опубліковано: (1981)
RECENT DEVELOPMENTS IN THE STUDY OF SEMICONDUCTORS BY ATOM PROBE MICROANALYSIS.
за авторством: Grovenor, C, та інші
Опубліковано: (1985)
Limitations on the s-state approach to the interpretation of sub-angstrom resolution electron microscope images and microanalysis.
за авторством: Anstis, G, та інші
Опубліковано: (2003)
CRITICAL THICKNESS DETERMINATION OF INXGA1-XAS/GAAS STRAINED-LAYER SYSTEM BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (1991)