Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN

Podobné jednotky

• TEM investigations of Si ion-implanted GaN
  Autor: Zou, J, a další
  Vydáno: (1998)
• Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
  Autor: Tan, H, a další
  Vydáno: (1996)
• Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
  Autor: Tan, H, a další
  Vydáno: (1996)
• Annealing of ion implanted gallium nitride
  Autor: Tan, H, a další
  Vydáno: (1998)
• AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
  Autor: Justinas Jorudas, a další
  Vydáno: (2020-12-01)